원자 열 EDS 분석
반도체의 특성은 예를 들어 포인트 결함에 의해 원자 수준에서 구조에 의해 결정됩니다. EDS 매핑을 가능한 가장 높은 해상도로 사용하면 이러한 결함을 찾고 특성화할 수 있습니다.
이 응용 프로그램 예제에서는 M. W. Chu(M. W. Chu 등, Phys. Rev. Lett. 104, 196101(2010), https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)가친절하게 제공하고 출판한 데이터를 살펴봅니다. 조사 된 것은 InGaAs와 InAlAs의 교대로 구성된 다층 구조였습니다. 3ms 거주 시간(13s 총 측정 시간)과 33pA 빔 전류만을 사용하여 InGaAs 구조의 하나의 원자 열에서 조성 변동을 결정할 수 있었습니다. In맵의 오른쪽 하단모서리에 있는 누락된 청색으로 인해 In의 부재를 볼 수 있으며, 표시된 HAAD 선 프로파일에서 InGa 열이 낮아집니다.
INGaAS 반도체 구조의 HAADF 이미지 및 강도 라인 스캔
InGaAs 반도체 구조의 요소 지도 및 스펙트럼