アトムカラムEDS分析
半導体の特性は、原子レベルの構造、例えば点欠陥によって決まります。可能な限り最高の解像度でEDSマッピングを使用することで、そのような欠陥を見つけて特徴付けることができます。
このアプリケーションの例では、M. W. Chuによって提供および公開されたデータを確認します（M. W. Chu et. al., Phys. Rev. Lett. 104, 196101 (2010), https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101）。調査されたのは、InGaAsとInAlAsの交互層からなる多層構造でした。わずか3msのドウェル時間（合計13秒の測定時間）と33pAのビーム電流を使用して、InGaAs構造の原子配列のIn組成の変動を決定することができました。Inがないことは、Inマップの右下隅にある青色が見つからないことでわかります。それによって、HAADのラインプロファイルにおいてInGaが低く表示されています。
InGaAs半導体構造のHAADF像と強度ラインスキャン
InGaAs半導体構造の元素マップとスペクトル