原子柱 EDS 分析
半导体的特性由其在原子水平上的结构决定，例如点缺陷。以尽可能高的分辨率使用 EDS 面分析，可以定位和表征此类缺陷。
在这个应用案例中，我们研究了M. W. Chu 提供和已发布的数据（M. W. Chu et. al., Phys. Rev. Lett. 104, 196101 (2010)）。样品是由 InGaAs 和 InAlAs 的交替层组成的一个多层结构。使用仅 3 ms 单像素停留时间（13 s 总测量时间）和 33 pA 探针电流，我们可以确定 InGaAs 结构的一个原子柱中 In 的成分变化。
缺乏In 的区域可以从右下图的缺失蓝色的区域找到。In 的缺失还会导致显示的 HAADF 线扫描文件中的 InGa 柱强度的降低。
InGaAS 半导体结构的HAADF图像和强度线扫描
InGaAs 半导体结构的元素图和频谱