Atomic Force Microscopes

ScanAsyst Plus

すべてのAFMトポグラフィモードに対応したインテリジェントな自動最適化イメージングソフトウェア

すべてのユーザーがエキスパートレベルの画像を取得可能に

ブルカーから2009年に発表された世界初のAFM用自動画像最適化技術であるScanAsyst®は、AFMを始めたばかりのユーザーであってもエキスパートレベルの画像を迅速、そして確実に取得できる利点があり、エキスパートを必要とした当時のAFMにとって革新的な技術でした。ScanAsyst®の進化型であるScanAsyst Plusは、エキスパートも手放せなくなるほど格段に使いやすく、自動化されたインテリジェントなアルゴリズムを持ち、PeakForce Tapping®、TappingMode™、コンタクトモードを含むすべてのトポグラフィモードに利用可能です。常に先進的なブルカーAFMの真価を発揮するばかりか、誰でもAFMのエキスパートレベルの画像取得可能にしました。

特許出願中であるScanAsyst Plusのスマート機能は、画像品質を継続的にモニターし、スキャンパラメータを自動で最適化します。​この機能を用いるユーザーは、様々な特定の操作モードやサンプルに応じたパラメータ調整の手間が省けるだけでなく、​ユーザーの経験やイメージングモードに関係されないエキスパートクオリティの高解像度イメージングが可能で、学術研究からインダストリーにおける計測に至るまで幅広く活用いただけます。

ScanAsyst Plus の特長:

  • ポリマーや2D材料など、多様なサンプルの表面性状を簡単かつ一貫して高解像度イメージングが​可能
  • ウェハーの表面粗さや欠陥特性評価など、シングルボタンで再現性の高い測定を実現​
  • すべてのイメージングモードで長時間に渡り安定したイメージングが可能​
  • 測定目的に合わせ、パラメータの最適化制御レベルをカスタマイズ可能​
  • 複合材料研究分野における完全な画像データセットを自動取得可能
左図:アレイ内の個々のナノピラーに構造欠陥が観察されたナノピラーのパターンアレイのトポグラフィー画像。画像サイズは5 x 5 μm。TESPAプローブを使用。ScanAsyst Plusを使用した TappingModeで測定。
右図: ScanAsyst Plusを用いたAmplitude Error画像は、ナノピラーの形状が対称に観察され、基板と各ナノピラー間の急激な高さ(深さ)変化を正確に追従していることを示している。画像サイズ5 x 5 μm。

様々なサンプルを用いたScanAsyst Plusの効果実証例:

サファイアの階段状構造(テラス-ステップ構造):サファイア表面に分子サイズに近いナノレベルのテラス-ステップ構造が観察されます。

画像サイズは5 x 5 μm。ScanAsyst-Air-HPIプローブを使用。コンタクトモード(ScanAsyst Plus使用)。

疎水性ポリプロピレン膜(セルガード)のモルフォロジー:LiBのセパレータに使用される疎水性ポリプロピレン膜(セルガード)では、セルガードのラメラとファイバーが交互に並ぶ様子が観察されました。

RTESPA-300プローブTappingMode(ScanAsyst Plus使用)。画像サイズ3 x 3 μm。appingMode, using an RTESPA-300 probe. Image size 3 µm。

窒化ガリウム(GaN)の原子ステップ構造:炭化ケイ素(SiC)上の窒化ガリウム(GaN)において原子ステップ構造が観察されました。

OTESPAプローブTappingMode(ScanAsyst Plus使用)。画像サイズ5 x 5μm。

透明導電膜の粒構造:透明導電膜であるインジウムスズ酸化物(ITO)膜のナノスケール粒構造が観察されました。

ScanAsyst-Air-HPIプローブ、PeakForce Tappingモード(ScanAsyst Plus使用)。画像サイズ2 x 2 μm。

ラメラ凝集:シリコン上のポリジエチルシロキサン(PDES)の明瞭なラメラ凝集が観察されました。

RTESPAプローブ、タッピングモード(ScanAsyst Plus使用)。画像サイズ90 x 90 μm。

SRAMの表面形状測定:スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)サンプルの表面構造。

TESPAプローブ、ScanAsyst Plus、TappingMode。画像サイズ20 µm。