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Analysesysteme für Elektronenmikroskope

QUANTAX EDS für REM

XFlash® 7 - die neue EDS Detektor Generation

Mit dem richtigen Winkel zur besseren Analyse

Schnell. Präzise. Zuverlässig.

1,000,000
cps
Bis zu 1.000.000 cps Ausgangszählrate
Bisher unerreichbare Analysegeschwindigkeiten erzielen.
> 2,200
Elementlinien
Höchst komplexe Proben mit der umfassendsten atomaren Datenbank inkl. K, L, M und N-Linien quantifizieren.
> 1.1
sr
Maximale Röntgenquantenausbeute durch größten Raumwinkel
Maximaler Probendurchsatz durch optimale Geometrie für die effizienteste Sammlung der erzeugten Röntgenquanten.

Energiedispersive Spektroskopie für REM, FIB-REM und Mikrosonde

  • Brukers neueste Generation des QUANTAX EDS beinhaltet die XFlash® 7 Detektorserie, die den größten Raumwinkel für Röntgenquanten Sammlung und höchsten Datendurchsatz bietet.
  • Der XFlash® 7 setzt weiterhin Maßstäbe in Leistung und Funktionalität bei der Energiedispersiven Röntgenspektroskopie für Rasterelektronenmikroskope (REM), Zweistrahl-/Ionenstrahlgeräte (FIB-REM) und Elektronenstrahl Mikrosonden (EPMA).
  • Die XFlash® Detektorfamilie bietet auch optimierte Lösungen für die EDS Analyse von elektronentransparenten Proben in TEM und REM, sowie den einzigartigen XFlash® FlatQUAD, einen Detektor, der entwickelt wurde, um anspruchsvollste analytische Fragestellungen zu beantworten.
  • Slim-line Technologie, bester Raumwinkel und Pulsprozessor der neuesten Generation. 
  • Optimierte Betriebszeit dank SDD-Modultausch vor Ort.
  • Höchste spektrale Leistung erzielt durch beste Energieauflösung.
  • Genauere Ergebnisse durch ausgefeilte Quantifizierungsalgorithmen und eine einzigartige Kombination aus standardfreien und standardbasierten Methoden.
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Effizientere Elementanalyse

  • Durch individuell optimierte EDS-Systeme schneller zu sehr präzisen Ergebnissen.
  • Maximaler Datendurchsatz verringert Messzeit und ermöglicht Mappings und Quantifizierung bei allen Einstellungen ohne Einschränkung der Datengröße.
  • Dank der effizienten geometrischen Anpassung des Raumwinkels können nun anspruchsvollste Proben untersucht werden.
  • Quantifizierungsergebnisse werden genauer und zuverlässiger durch optimierte Geometrie, die den Untergrund minimiert und Absorption verringert.
  • Minimierter Untergrund und verringerte Absorption verbessern die Nachweisgrenze und erlauben die Detektion geringerer Elementkonzentrationen.
  • Die umfassende ESPRIT Software bildet die Analyseplattform zur nahtlose Integration von EDS, WDS, EBSD und Mikro-XRF für jedes REM, jedes FIB-REM und jede Mikrosonde.

Anwendungen der Elementanalyse mit XFlash® 7

Low kV EDS mapping of Nickel-based single crystal superalloy

Elemental Mapping and Phase Discrimination of Single Crystal Superalloys

The high collection efficiency of Bruker XFlash® EDS detectors enables a high signal to noise ratio, facilitating the spatial determination of alloying element concentrations at a low kV with high magnification.
Determine Alloy Phases
Elemental distribution of different layers of an IC chip with SEM EDS

SEM EDS Analysis of Interconnecting Layers of a Bulk 7 nm Process FinFET

Bruker's EDS Detectors acquire high-resolution elemental maps with a high count rate and a low probe current, meaning semiconductor layer analysis can be carried out faster and with high reliability. 
Analyze Semiconductor Layers
Live chemical mapping of solder region

Live Elemental Mapping of Sn–Cu Solder Region in Al-Si Alloy 

Live elemental mapping using ESPRIT LiveMap enables large area scanning of the sample surface for quick ROI identification to perform further analysis with EDS or other techniques
Map Elements in Real-Time
EDS map of a failed welding seam

High Throughput Element Mapping of Zr-steel Welding Seam

High-throughput, i.e., high-speed EDS element mapping using XFlash 7® quickly provides post-welding information about the local structure and potential failures.
Map elements at high throughput
composite EDS map

Fast Elemental Mapping of Si and W Wafer Etching Residues

The new generation of XFlash® detectors make mapping at very high input count rates (ICR) possible. This example showcases the XFlash® detectors’ mapping capabilities of an element combination with overlapping peaks (Si and W) at very high count rates. 
Map elements at high count rates
Element distribution map of volcanic rock

Determining Magmatic Evolution using SEM EDS

The magmatic evolution of volcanic minerals over tens of thousands of years of volcanic minerals can be analyzed using SEM EDS. Discover more about the history of geological samples in just a few minutes. 
Analyze Phases in Geological Samples
Higher spatial resolution maps with SEM EDS

Structural and Elemental Analysis of a Chalcolithic Smelting Vessel

Artworks and cultural heritage items reveal a great deal about our past. Learn how you can use SEM EDS to gain a deeper understanding of the history of these objects…
Explore the History of Archaeological Objects
Element distribution map of nettle by SEM EDS

Elemental Analysis of a Plant Sample using Dual EDS Detection

A high beam sensitivity, difficult topography and low count rate yield mean that the fast, non-destructive analysis of biological materials is difficult. The use of a dual EDS detector system can overcome these challenges 
Analyze Elements in Biological Materials

Weitere Anwendungen des SEM EDS

Materialien
EDS-Spektrum von HfB2, erfasst bei 5 kV; das Inset-Bild zeigt die vergrößerten Spektren im 100 - 250 eV-Bereich.

Quantifizierung von feuerfesten Boriden für Hochtemperaturanwendungen

Ultrahochtemperatur-Boridkeramik ist eine Klasse von feuerfesten Materialien, die für extreme Umgebungen hergestellt werden.
Mehr
Bismutseigerung in thermoelektrischen AgPbTeBi -Materialien

Bismut-angereicherte Korngrenzen in thermoelektrischen Materialien

Thermoelektrische Materialien finden breite Anwendung von der Energieerzeugung bis zur Festkörperkühlung.
Mehr
EDS-Elementverteilungsbild und SE-Bild von verschiedenen Beschichtungslagen auf Wolframcarbid-Schneidwerkzeugen. Die Oberfläche wurde mit einem fokussierten Ionenstrahl (FIB) poliert.

TiCN-Beschichtungen für Hartmetall-Schneidwerkzeuge

Funktionelle Beschichtungen sind technologisch bedeutend, da sie die Oberflächeneigenschaften von Materialien verbessern können. Die geringe Schichtdicke stellt jedoch die zuverlässige Analyse dieser Materialien vor Herausforderungen.
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Nanomaterialien
Elementverteilungsbild von Silizium-Nanopartikeln mit Kohlenstoff (rot) und Silizium (grün)

Ultra-hochauflösende Elementverteilungsbilder von Silizium-Nanopartikeln

Die Bestimmung der Elementverteilung von Silizium-Nanopartikeln ist mit dem Rasterelektronenmikroskop und Brukers einzigartigem XFlash® FlatQUAD Detektor möglich.
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Mineralogie
Mocs historischer Meteorit: Elementverteilungsbild mit Schwefel- und Bleiablagerungen in den Rissen des Meteoriten.

Hochauflösende EDS-Elementverteilungsbilder eines Meteoriten

Durch die Verwendung des einzigartigen XFlash FlatQUAD EDS-Detektors kann auf eine komplizierte Probenpräparation zur Ermittlung einer Elementverteilung (Map) mit Hilfe eines Rasterelektronenmikroskops verzichtet werden. Hier stellen wir die Ergebnisse einer Meteroriten-Probe vor, für die eine Probenpräparation nicht möglich war.
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SE-Bild eines ternären Systems mit rauer Oberfläche (ohne Probentischrotation)

EDS-Quantifizierung von Materialien mit rauer Oberfläche

Für eine zuverlässige EDS-Quantifizierung ist die genaue Kenntnis der Probe und der Detektorgeometrie unerlässlich.
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Elementverteilungsbilder einer Mantelperidotit-Probe

Elementverteilungsanalysen eines geologischen Dünnschliffes durch REM-basierte EDS-Analyse

Die Elementverteilung eines mineralogischen Dünnschliffs kann mit der EDS-Analyse durch Steuerung des Elektronenstrahls und des Probentisches im REM in nur wenigen Minuten ermittelt werden.
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Webinars on Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy

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