SEM(T-SEM)에서 STEM-EDS를 사용하는 반도체 구조의 고분해능 매핑
X선 기반 방법을 사용한 반도체 나노구조의 원소 분포 매핑이 항상 똑바로 진행되는 것은 아닙니다. 반도체 소재를 조사할 때 나노스케일 공간 해상도와 X선 피크 중복의 필요성은 일반적인 과제입니다. 전송 모드(T-SEM)의 SEM은 때때로 고가의 TEM을 대체할 수 있습니다. 본 예에서는 시편과 SEM 극 조각 사이의 방사형 대칭으로 배열된 4개의 SDD 사분면이 있는 환상 XFlash® FlatQUAD EDS 검출기를 사용하여 SEM에서 획득한 반도체 구조물의 고해상도 EDS 맵을 보여줍니다. 지도는 220 pA 빔 전류와 20 kV에서 인수되었다. XFlash® FlatQUAD 검출기의 고감도는 SEM에서 10nm 공간 해상도(그림 2 참조)보다 더 나은 것을 달성할 수 있습니다. X선 피크가 강하게 겹쳐있음에도 불구하고, 브루커의 ESPRIT 소프트웨어에서 구현된 피크 디콘볼루션 모델 덕분에 실리콘(Si) 및 텅스텐(W)이 맵에서 잘 구별될 수 있습니다(그림 1 참조).
그림 1: RAM 마이크로칩의 원소 분포 맵과 추출된 영역 스펙트럼은 Si와 W의 성공적인 감소를 증명합니다.
그림 2: 도 1의 하이퍼맵에서 추출된 라인 스캔: 10nm의 측면 해상도로 프로파일을 따라 요소 분포의 변동을 드러낸다.