使用 STEM (T-SEM) -EDS 对半导体 RAM 微芯片进行超高分辨的面分析
采用X射线方法表征半导体纳米结构的元素分布图并不总是直截了当的。在研究半导体材料时，实现纳米尺度空间分辨率和X射线峰值重叠的解卷积是常见的挑战。有时，使用 SEM 进行表征而不是昂贵的 TEM ，不光节省经济成本还节省时间成本。
在这个案例中，我们展示了使用环形 XFlash® FlatQUAD EDS 探测器，在 SEM 中获取的半导体结构的高分辨率 EDS 图。XFlash® FlatQUAD的 4 个 SDD 环形排列整体具有对称性，测试时探测器位于在试样和 SEM 极片之间。测试条件为 20 kV 加速电压和 220 pA 电流。XFlash® FlatQUAD 的高灵敏度允许在SEM中实现超过10 nm的空间分辨率（见图2）。尽管 X 射线峰值重叠严重，但硅 （Si） 和钨 （W） 在结果图上可以很好地区分，这要归功于布鲁克 ESPRIT 软件中优秀的峰值解卷积的模型（参见图 1）。
图1：RAM微芯片元素分布图和提取区域谱图，证明Si和W成功解卷积
图2：从图1中提取的线扫描测量结果：它揭示了沿剖面的元素分布的变化，横向分辨率为10nm。