半導体マイクロチップ材料における元素同定

導電性セラミック材料であるタングステンシリサイドは、マイクロチップなどのマイクロエレクトロニクスで使用されています。タングステンシリサイドは、Siウエハなどの半導体材料において安定層として使用することもあります。

品質管理中にマイクロレベルとナノレベルで高い空間分解能を実現するためには、低加速電圧で解析を行う必要があり、これらの相の同定が複雑になります。低加速電圧では、基板Si Kα線と大きく重なっているタングステンのMシリーズのエネルギーラインのみが生成されます。

結果として得られる一次元素のEDSピークはわずかに広がり、第2相の存在を覆う隠します。それとは対照的に、優れたスペクトル分解能により QUANTAX WDS を使用して十分Wなどの元素を識別することが可能です。

SDDの電子マイクロチップで取得したSiとWのX線元素分布マップ

1.6-2.0 keVのエネルギー領域におけるタングステンシリサイドのX線スペクトルセクションは、WDSの高スペクトル分解能を示しています。