Simulación de patrones de cristales no centrosimétricos: GaP
En algunos cristales, el lado "frontal" y el lado "atrás" de ciertos planos de celosía son diferentes, un efecto polar que sólo se puede reproducir mediante simulaciones dinámicas. Algunos de estos materiales son muy importantes en la industria de semiconductores (por ejemplo, GaN, Al(x)Ga(1-x)As, GaP e InP) donde el control de la polaridad de la película puede ser de gran interés. Usando la teoría dinámica, la orientación correcta se encuentra para tener un coeficiente de correlación más alto r con respecto al patrón experimental, comparar cómo las intensidades de la banda Kikuchi se desplazan más hacia el exterior o el interior de la estructura triangular de la banda Kikuchi que rodea el eje de zona triple en el medio superior del patrón.
Los átomos de galio (verdes) y los átomos de fósforo (rojo) en los modelos de células unitarias han intercambiado posiciones en las dos orientaciones mostradas a la derecha. Excepto por este intercambio de ambas especies atómicas en el cristal, las orientaciones son exactamente similares y no pueden distinguirse por los modelos de simulación kinia estándar.
