Pattern-Simulation von nicht-zentrosymmetrischen GaP-Kristallen
In einigen Kristallen unterscheiden sich die "Vorderseite" und die "Rückseite" bestimmter Gitterebenen, ein polarer Effekt, der nur mit dynamischen Simulationen reproduziert werden kann. Einige dieser Materialien sind sehr wichtig in der Halbleiterindustrie (z. B. GaN, Al(x)Ga(1-x)As, GaP und InP), wo die Kontrolle der Polarität von großem Interesse sein kann. Mit Hilfe der dynamischen Theorie kann festgestellt werden, ob die korrekte Orientierung einen höheren Korrelationskoeffizienten r als das experimentelle Pattern hat. Es ist zu erkennen, wie sich die Kikuchi-Bandintensitäten mehr nach außen oder innerhalb der dreieckigen Kikuchi-Bandstruktur verschieben, welche die dreifache Zonenachse in der oberen Mitte des Patterns umgibt.
In den beiden unten gezeigten Einheitszellenmodellen ist zu sehen, dass die Galliumatome (grün) und die Phosphoratome (rot) ihre Position im Kristallgitter getauscht haben. Abgesehen von diesem Tausch der Gitterplätze sind die Orientierungen ansonsten genau gleich und lassen sich nicht durch die kinematischen Standard-Simulationsmodelle unterscheiden.
