eFlash FS
Der neue EBSD-Detektor eFlash FS wurde für maximale Empfindlichkeit entwickelt, um Hochgeschwindigkeits-EBSD-Messungen ohne Beeinträchtigung der Datenqualität zu ermöglichen – selbst bei anspruchsvollen Anwendungen wie verformten oder leichten Materialien. Zur Steigerung der Pattern-Qualität wurde das Kühlsystem des eFlash FS verbessert, um die Arbeitstemperatur und damit den Dunkelstrom der CCD-Kamera so weit wie möglich zu senken.
Im Vergleich zum Vorgängermodell eFlash 1000 hat der neue eFlash FS Detektor eine um den Faktor 3 verbesserte Empfindlichkeit und einen um den Faktor 4 geringeren Dunkelstrom. Damit ist er die beste Wahl für alle „Hough-basierten“ EBSD-Anwendungen. Die enorme Verbesserung der Kameraempfindlichkeit in Kombination mit einem hocheffizienten Hochgeschwindigkeits-Phosphorschirm machen den eFlash FS Detektor zur idealen Lösung für dynamische Experimente wie in-situ Aufheizung und in-situ Zug- und Kompressionstests.
Auch die 3D EBSD profitiert von den Geschwindigkeits- und Empfindlichkeitsfähigkeiten des neuen eFlash FS Detektors.
Ein 400 x 300 Pixel großes Map kann in 2 min 10 s erfasst werden. Das bedeutet, dass die Datenerfassung eines 3D-EBSD-Datenwürfels mit 70 Schnitten (8,4 Mio. Voxel) nur 2,5 h dauert.
Seine hervorragende Empfindlichkeit macht den neuen eFlash FS Detektor zur perfekten Lösung für Niedrig-kV-EBSD-Anwendungen und Transmissions-Kikuchi-Beugung (TKD) im REM, auch bekannt als Transmissions-EBSD (t-EBSD). Mit dem eFlash FS Detektor, der mit dem einzigartigen OPTIMUS™ TKD-Detektorkopf nachgerüstet werden kann, lassen sich Orientierungs-Maps mit Geschwindigkeiten von bis zu 630 Bildern pro Sekunde (fps) und einer effektiven räumlichen Auflösung von mindestens 2 nm erfassen.
Mit typischen Messzeiten von nur wenigen Minuten pro Map bringt die On-Axis TKD nicht nur eine bemerkenswerte Effizienzsteigerung ohne Beeinträchtigung der Datenqualität, sondern minimiert auch Artefakte, die durch Strahlinstabilitäten induziert werden.
Der eFlash FS ist mit dem ARGUS™ Bildgebungssystem mit vorwärtsgestreuten (FSE) und rückgestreuten (BSE) Elektronen erhältlich. Dies erhöht die Vielseitigkeit des Detektors und liefert wertvolle Zusatzinformationen für eine aussagekräftige und effiziente Mikrostrukturcharakterisierung.
