Si/C 核/壳结构纳米颗粒的超高分辨率元素面分析
对于束流敏感样品（如 Si 纳米颗粒）的 EDS 分析，通常需要非常低的电流和/或非常短的测量时间。然而当需要高空间分辨率时，有必要使用低电压来降低电子与样品相互作用体积。对于传统的 EDS 测试而言，这种分析条件极具挑战性，因为低电压的 X 射线产率非常低，这就对应很长的测量时间。而长时间的测量，很可能因为束流引起的样品漂移而影响空间分辨率。
使用XFlash 和 FlatQUAD® EDS 测量则克服了这些限制。XFlash® FlatQUAD具有独特的探测几何构型，可对低 X 射线产量的材料实现高灵敏度检测，在低电流下提供高计数率。因此，XFlash® FlatQUAD EDS 是面分析束流敏感材料（即使具有粗糙表面）的的理想之选。
本示例提供硅纳米颗粒的高分辨率图（像素间距仅为 2 nm！测试参数为 5 kV、520 pA 和 377 s 采集时间，使用 XFlash FlatQUAD 进行表征）。结果表明，这些纳米颗粒的结构为硅核（绿色）和碳壳（红色）。
Data courtesy：S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577
过滤材料上硅纳米颗粒的SE图像
硅纳米颗粒元素分布图显示红色为碳，绿色为硅
从元素分布图中提取的线扫描，并且以热度图表示硅纳米颗粒的直径约为 100 nm