2D容量性トランスデューサー
単一のテストヘッドでのナノインデンテーションとナノスクラッチ試験能力の組み合わせ
業界をリードするパフォーマンス
Brukerの2次元静電容量変換器技術は単一のテスト頭部の結合されたナノインデンテーションおよびナノスクラッチのテストの機能を可能にする。2Dトランスデューサは、定量的なナノスケールの機械的および三重構造特性を実現するために、通常方向と横方向の両方で超感度の力と変位測定を提供します。スクラッチモードで動作する2Dトランスデューサは、個々の微細構造、インターフェース、超薄膜に局在した摩擦測定を可能にします。2Dトランスデューサを利用したランプフォーススクラッチは、フィルム/基板界面接着特性を定量化する一般的な手段です。
Brukerの2Dトランスデューサは、静電力アクチュマテーションと容量性変位検出トランスデューサ技術を通常方向と横方向の両方で利用し、最大の測定感度を実現します。横移動のために騒々しい電動ステージを必要としないことで、表面の三波特性はナノメートルからマイクロメートルの長さのスケールで確実に特徴づけられる。
低kフィルムの3Dナノスクラッチ画像は、フィルムの故障の証拠を示す。
