ARGUSイメージング システムを搭載したSEMによるSTEM
すべてを見ることができる神話の巨人ARGUS
その前身と同様に 、OPTIMUS 2 検出器ヘッドはSEMイメージング機能でSTEMを提供するために、組み込みの ARGUSTMシステムを使用して設計されています。OPTIMUS 2 は、フロントエッジに3つの Siダイオード、画面中央に1つの Siダイオードを搭載しており、次の機能を備えています。
- 暗視野(DF)のようなイメージング
- TKDマッピング位置での明視野(BF)のようなイメージング
- 最大125,000ピクセル/秒の速度でのイメージング
- 比類のない品質で詳細な画像を作成する完全自動信号最適化
新しいBFのようなイメージング機能は、電子透過サンプルのin-situ試験、加熱、電気バイアスなどの動的実験中のほぼリアルタイムの可視化やマッピング中のドリフト補正やに特に効果があります。
2.8Mピクセル DFのような画像(左)と非晶質アモルファスSi₃N₄膜上に堆積された20nmの金膜上の強調表示された領域の拡大図。サブ10nmの焼鈍し双晶を示しています。画像は、800pAのプローブ電流と30kVの加速電圧を用いて66秒で取得しました。メイン画像とズームビュー画像のスケールバーは、400 nm と50 nm を表します。
様々な材料から取得したDFやBFのような画像
1nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のBFのような画像：400pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のBFのような超高解像度画像：400 pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
1 nmのステップを用いて3sで取得したRu薄膜のDFのような画像：800pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
4Mピクセル、シリコン窒化物支持フィルムを有するTEMグリッドに堆積したGe-Sb-Te(GST)薄膜のBFのような平面画像。画像は5 nmのステップで2 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧を用いて2:05分で取得しました。サンプルはアメリカのスタンフォード大学のアーロン・リンデンバーグ教授と彼のグループの好意によります。
4 Mピクセル、シリコン窒化物支持フィルムを有するTEMグリッドに堆積したGe-Sb-Te(GST)薄膜のDFのような平面画像。画像は、5 nmのステップ、2 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧を用いて2:05分で取得しました。サンプルは、アメリカのスタンフォード大学のアーロン・リンデンバーグ教授と彼のグループの好意によります。
1nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のBFのような画像：700pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて8sで取得したRu薄膜のBFのような画像：700 pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
1 nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のDFのような画像：700pAのプローブ電流、30kVの加速電圧
0.5 nmのステップを用いて8 sで取得したRu薄膜のDFのような画像：700 pAのプローブ電流および30kVの加速電圧
Siウエハ基板に堆積し、ディンプル法によって薄くしたPt薄膜のDのような平面画像。画像は、2nmのステップを用いて、1.7 nAのプローブ電流、30kVの加速電圧、14 sで取得しました。TKDサンプルの準備/薄化に際して、ドイツのLeica MicrosystemsのDr. Wolfgang Grünewaldに感謝いたします。