XFlash 6-10

Das Herzstück dieses Röntgendetektors der neuesten Generation ist ein Siliziumchip, der nach dem Drift-Kammer-Prinzip funktioniert. Aufgrund des speziellen Chip-Designs mit integriertem Ladungsverstärker kann der XFlash^® extrem hohe Eingangsimpulsraten bei gleichzeitig exzellenter Energieauflösung verarbeiten. Seine Performance wird von keinem anderen siliziumbasierten energiedispersiven Detektor erreicht.

Der XFlash^® 6-10 bietet folgende Vorteile:

• Herausragende Energieauflösung (Limited Edition mit 121 eV bei Mn-Kα, 38 eV bei C-Kα und 47 eV bei F-Kα verfügbar)
• Andere lieferbare Auflösungen sind 123, 126 und 129 eV bei Mn-Kα
• Extrem hohe Impulsbelastbarkeit
• Ausgezeichnete Leichtelement- und Niedrigenergie-Performance (Elementbereich Be - Am)
• Keine aufwändige, Vibrationen verursachende Kühlung
• Sofort nach nach dem Einschalten betriebsbereit
• Niedrige Betriebskosten
• Wartungsfreier Betrieb
• Kleine Abmessungen, beinhaltet einen Messfinger in Slim-line-Ausführung
• Niedriges Gewicht

Empfohlene Einsatzbereiche für den XFlash^® 6-10 sind:

• EDS-Systeme für REM, Mikrosonde und FIB-REM (Faltenbalg als Option erhältlich)
• Leichtelement- und Niedrigenergiebereichsanalysen