Cuantificación de Pt en una estructura semiconductora NiSi(Pt)-NiSi2

Este ejemplo de aplicación muestra los datos EDS del crecimiento epitaxial de una película delgada NiSi aleado Pt. NiSi se utiliza para estructuras de metalización de tamaño nm en dispositivos semiconductores como MOSFET. La aleación Pt de NiSi se aplica para estabilizar el NiSi metálico a temperaturas elevadas y evitar su transformación en la fase NiSi₂ menos conductiva. Pt es soluble en NiSi sustituyendo a Ni pero no es soluble en NiSi₂.

Ni y Pt fueron depositados en obleas HF-cleaned (001)Si por magnetron
Farfulla. La cantidad de Pt sputtered de un solo objetivo Pt fue optimizada para depositar unos pocos en% Pt. La película fue recocido rápidamente durante 30 s a 700oC en N₂-atmósfera, produciendo una mezcla de NiSi y NiSi_2. El NiSi más denso aparece más brillante en Z (número atómico)-contraste de la imagen de campo oscuro anular de ángulo alto (HAADF). El contenido De Pt es difícil de cuantificar por EELS debido al borde Pt retrasado.

En el mapa EDS superpueste con la imagen HAADF y adquirido en 7 minutos sin embargo, el Pt es claramente visible. Para la adquisición de datos EDS se utilizó un SDD de 0,12 s y un ángulo de despegue de 22o en un STEM convencional. La solución preferida de Pt en NiSi fue confirmada por este experimento de EDS. La cuantificación del contenido de Pt en NiSi utilizando factores teóricos Cliff-Lorimer ofrece el 2 esperado en% dentro de un rango de error de ±1 al%, que se muestra en el mapa cuantificado y en el escaneo de línea extraído. Ambos confirman que Pt se distribuye más o menos uniformemente en el NiSi al 2%.